На скрине, при токе покоя 800 мА, линейность почти на 10 дб выше чем при 1,2 А, на мощностях от 2 ватт и до 50-70, Ниже и выше, линейность почти одинакова.
На линейной характеристике две зоны работы с нулевыми искажениями третьего порядка - это самое её начало (класс В), и середина (класс А), когда весь диапазон мощностей работает без отсечки. В реальности, довольно часто, начальная точка довольно размыта, и работа на ней сопряжена с бОльшими искажениями, чем в классе А, что мы, отчасти, и наблюдаем на приведённом Вами графике - при токе 1.2 А искажения на малых мощностях ниже, чем при токе 800 мА, но, ровно до тех пор, пока не наступит режим односторонней отсечки, а вот тут уже начинают лезть мусор, и идиллия заканчивается.
Так вот, вполне возможно, что транзистор, картинку от которого Вы привели, обеспечит Вам работу в классе А с ещё более высокими параметрами, чем у него при токе 800 мА, если, Вы не будете пытаться вытянуть из него сильно много, и он не сгорит от перегрева...
Та же проходная ёмкость 5-6 пФ имеет на частоте 1 гГц сопротивление порядка 30 ом. Довольно глубокая ООС будет присутствовать даже при отсутствии внешних цепей.
Не совсем уверен, что связь через паразитную ёмкость с непредсказуемым сдвигом фаз, и непонятной зависимостью этой ёмкости от стокового напряжения, будет снижать искажения...
