Игорь, вы точно так же не в теме. В uSDX реализован синтетический метод формирования SSB.
Естественно, потому и спросил. Хотя, меняя угол отсечки, мы с этого заветного режима Е, вообще-то говоря, уходим
, как мне интуиция подсказывает, со всеми вытекающими проблемами разрядки ключевым транзистором заряженного конденсатора между истоком и стоком, почему и вылетают транзисторы в этой чудо-схеме - долбёжка ничем не ограниченным током рано или поздно кристалл разрушит.
В связи с чем, и вывод - попытки вводить SSB в усилитель класса Е через затвор - разводилово для доверчивых лохов, ибо, повторю, в классе Е он может работать ТОЛЬКО при одном фиксированном угле отсечки, а, как только с него сдвигаемся, переводим транзистор в ключевой режим с ударными токами через сток.
Понятно, что что-то там работать будет, но с нулевой надёжностью, и при SSB данное изделие ничего общего с классом Е иметь не будет.
Модель где-то далеко, а интуиция в большинстве случаев, меня не подводит...
